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J-GLOBAL ID:200903015932335142
光電気セルおよび光電気セル用金属酸化物半導体膜の製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 俊一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998149550
Publication number (International publication number):1999339867
Application date: May. 29, 1998
Publication date: Dec. 10, 1999
Summary:
【要約】【課題】 分光増感色素吸着量が高く、分光増感色素との反応性が高く半導体内の電子移動がスムーズで、光電変換効率の向上した光電気セルを提供する。【解決手段】 表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に分光増感色素を吸着した金属酸化物半導体膜(2)が形成されてなる絶縁性基板と、表面に電極層(3)を有する絶縁性基板とが、前記電極層(1)および(3) が対向するように配置してなり、金属酸化物半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質を封入してなる電気セルにおいて、少なくとも一方の絶縁性基板および電極が透明性を有し、金属酸化物半導体膜(2)がアナターゼ型酸化チタン粒子を含むことを特徴とする光電気セル。
Claim (excerpt):
表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に分光増感色素を吸着した金属酸化物半導体膜(2)が形成されてなる絶縁性基板と、表面に電極層(3)を有する絶縁性基板とが、前記電極層(1)および(3) が対向するように配置してなり、金属酸化物半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質を封入してなる電気セルにおいて、少なくとも一方の絶縁性基板および電極が透明性を有し、金属酸化物半導体膜(2)がアナターゼ型酸化チタン粒子を含むことを特徴とする光電気セル。
IPC (4):
H01M 14/00
, H01G 9/20
, H01G 9/00
, H01L 31/04
FI (3):
H01M 14/00 P
, H01G 9/20
, H01L 31/04 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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光電変換型二次電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-137558
Applicant:科学技術振興事業団, 桑原純
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Application number:特願平6-080461
Applicant:触媒化成工業株式会社
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-124865
Applicant:佐賀県
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光触媒組成物とその形成剤
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Application number:特願平8-291931
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光電池
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Application number:特願平10-117400
Applicant:ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー
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金属酸化物微粒子電極及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-007854
Applicant:富士ゼロックス株式会社
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半導体電極およびその製造方法、ならびにそれを用いた光電池
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Application number:特願平9-304615
Applicant:富士ゼロックス株式会社
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金属酸化物微粒子凝集体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-167074
Applicant:富士ゼロックス株式会社
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Application number:特願平9-072809
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