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J-GLOBAL ID：200903015938473814

昇圧回路

Inventor： 三木 淳範
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998086615
Publication number (International publication number)：1999283392
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 昇圧回路の電流供給能力を向上し、昇圧効率を上げ、昇圧スピードを期待する値にまで速くすることを課題とする。【解決手段】 入力とドレインとゲートとを接続しソースを出力とする伝達トランジスタと、該ソースに一端を接続され他端にクロックを入力するキャパシタとからなる昇圧セルを複数個縦続接続した昇圧回路において、前記複数個の昇圧セルの前記伝達トランジスタは、半導体基板上に形成された第1ウエルと、該第1ウエル上に形成された第2ウエルとからなるトリプルウエルで構成され、前記半導体基板は基準電位に接続され、前記第1ウエル内の同一導電型の拡散層と、前記第2ウエル内の同一導電型の拡散層と、前記第2ウエル内の反導電型の拡散層と、前記キャパシタの一端と、前記伝達トランジスタのゲートとを接続したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

入力とドレインとゲートとを接続しソースを出力とする伝達トランジスタと、該ソースに一端を接続され他端にクロックを入力するキャパシタとからなる昇圧セルを複数個縦続接続した昇圧回路において、前記複数個の昇圧セルの前記伝達トランジスタは、半導体基板上に形成された第1ウエルと、該第1ウエル上に形成された第2ウエルとからなるトリプルウエルで構成され、前記半導体基板は基準電位に接続され、前記第1ウエル内の同一導電型の拡散層と、前記第2ウエル内の同一導電型の拡散層と、前記第2ウエル内の反導電型の拡散層と、前記キャパシタの一端と、前記伝達トランジスタのゲートとを接続したことを特徴とする昇圧回路。

IPC (2)：

G11C 16/06 ,  H02M 3/07

FI (2)：

G11C 17/00 632 A ,  H02M 3/07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 昇圧回路及び昇圧回路を備えた不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-354151   Applicant：株式会社東芝
• 昇圧回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-074959   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体昇圧回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-104673   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平1-307097