半導体膜の熱処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997251626
Publication number (International publication number)：1999097350
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【目的】優れた特性のトランジスタ等の電子デバイスの作製を可能にする、半導体薄膜の熱処理方法を提供すること。【構成】基板上に部分的に空隙を有する層を形成する工程と、この部分的に空隙を有する層上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜にパルス的エネルギー線を照射することにより前記半導体膜を加熱する工程とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に部分的に空隙を有する層を形成する工程と、この部分的に空隙を有する層上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜にパルス的エネルギー線を照射することにより前記半導体膜を加熱する工程とを具備することを特徴とする半導体膜の熱処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331177 Applicant：カシオ計算機株式会社
半導体結晶層の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320734 Applicant：鈴木正國, 株式会社村田製作所, 日本鋼管株式会社

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