パターン形成方法および感光性組成物

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998174638
Publication number (International publication number)：2000010289
Application date： Jun. 22, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】高いエッチング選択比でレジストパターンを形成して、被加工層を精度よく加工することが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】被加工層上に、ケイ素-ケイ素結合を主鎖に有するケイ素化合物を含有した有機ケイ素膜を形成する工程と、前記有機ケイ素膜にパターン露光を行なって、有機ケイ素膜の露光部にシロキサン結合を形成する工程と、露光後の有機ケイ素膜に還元性物質を接触させて、還元された物質からなる膜を前記有機ケイ素膜の未露光部に選択的に形成する工程と、前記還元された物質からなる膜をマスクとして前記有機ケイ素膜をエッチングして有機ケイ素膜パターンを形成する工程と、前記有機ケイ素膜パターンをマスクとして被加工層をエッチングする工程とを具備する方法である。

Claim (excerpt)：

被加工層上に、ケイ素-ケイ素結合を主鎖に有するケイ素化合物を含有した有機ケイ素膜を形成する工程と、前記有機ケイ素膜にパターン露光を行なって、有機ケイ素膜の露光部にシロキサン結合を形成する工程と、露光後の有機ケイ素膜に還元性物質を接触させて、還元された物質からなる膜を前記有機ケイ素膜の未露光部に選択的に形成する工程と、前記還元された物質からなる膜をマスクとして前記有機ケイ素膜をエッチングして有機ケイ素膜パターンを形成する工程と、前記有機ケイ素膜パターンをマスクとして被加工層をエッチングする工程とを具備するパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/075 511 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 572 A

F-Term (25)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BH04 , 2H025BJ10 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025DA40 , 2H025FA17 , 2H025FA28 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096CA02 , 2H096EA04 , 2H096FA05 , 2H096FA10 , 2H096HA23 , 5F046AA28 , 5F046LA18 , 5F046NA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

レジスト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-105164 Applicant：株式会社東芝
特開昭64-056732
特開昭63-038933

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