半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997302532
Publication number (International publication number)：1999145111
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】コンタクト抵抗の増加を防止しながらコンタクトホール底部に堆積したポリマー膜を除去する。【解決手段】基板にバイアス電圧を与えながら、フルオロカーボンガスを含むガスから生成したプラズマを用いて酸化膜をエッチングする(ステップS1)。反応室に酸素ガスを導入し(ステップS2)、ガス圧力を調整(ステップS3)した後、酸素プラズマを生成し(ステップS4)、基板にバイアス電圧を与えない状態で反応室からフッ素を除去するフッ素除去処理工程を行う(ステップS5)。次に、基板にバイアス電圧を印加しながら、酸素プラズマを用いて基板上に残存するポリマーを除去する酸素プラズマ処理工程を行う(ステップS6、7)。

Claim (excerpt)：

シリコン領域を少なくとも表面に有する基板上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上にレジストパターンを形成する工程と、プラズマエッチング装置の反応室内に設けられた電極上に前記基板を配置し、前記基板にバイアス電圧を与えながら、フルオロカーボンガスを含むガスから生成したプラズマを用いて前記酸化膜をエッチングする工程と、前記基板にバイアス電圧を与えない状態で、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、それによって前記反応室からフッ素を除去するフッ素除去処理工程と、を包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-065114 Applicant：ソニー株式会社
接続孔の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-029599 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-325750 Applicant：ソニー株式会社

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