Pat
J-GLOBAL ID：200903016312302135
SiC単結晶の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
石田 敬
, 鶴田 準一
, 西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003138613
Publication number (International publication number)：2004339012
Application date： May. 16, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：
【課題】黒鉛坩堝の腐食損耗や多結晶化を生ずることなく、大口径・長尺のSiC単結晶を製造することができる方法を提供する。【解決手段】黒鉛坩堝内でSi融液を用いてSiC単結晶を製造する方法において、黒鉛坩堝内にSiと、Cおよび/またはSiCと、保護材とを装入して、結晶成長温度に加熱することにより、該保護材の融液で、該黒鉛坩堝の内壁を濡らすが下記C含有Si溶液とは混合しない保護層を形成させた状態で、C含有Si溶液と、Cおよび/またはSiCとの共存下においてSiC単結晶の成長を行なうことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
黒鉛坩堝内でSi融液を用いてSiC単結晶を製造する方法において、
黒鉛坩堝内にSiと、Cおよび/またはSiCと、保護材とを装入して、結晶成長温度に加熱することにより、該保護材の融液で、該黒鉛坩堝の内壁を濡らすが下記C含有Si溶液とは混合しない保護層を形成させた状態で、C含有Si溶液と、Cおよび/またはSiCとの共存下においてSiC単結晶の成長を行なうことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (10)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CD02
, 4G077CD05
, 4G077EG02
, 4G077EG25
, 4G077HA06
, 4G077MA01
, 4G077MB04
, 4G077MB12
Cited by examiner (3)
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SiC結晶の液相エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-338506
Applicant：住友金属鉱山株式会社
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化合物半導体結晶の製造方法及び製造用るつぼ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-052453
Applicant：住友電気工業株式会社
-
単結晶SiCの液相育成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-058254
Applicant：日本ピラー工業株式会社
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