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J-GLOBAL ID：200903016360847046

III族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： 柴田 直樹 ,  千代 敏明 ,  千田 昌伸 ,  伊藤 潤 ,  渡邉 大志 ,  浅見 慎也 ,  浅見 静代
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191780
Publication number (International publication number)：2002009341
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 新規な構成の下地層を有するIII族窒化物系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 基板11の上には六角錐台形の凸部を有するMgが1020/cm3以上ドープされたGaNからなる下地層15が形成され、この下地層の上に素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層が順次積層されている。このように構成されたIII族窒化物系化合物半導体素子によれば、その表面が六角錐台の凸部を有する形状とされることにより、III族窒化物系化合物半導体層と下地層を含めた基板との間の歪みが緩和される。その結果、III族窒化物系化合物半導体層へクラックが入ることを未然に防止できる。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板の上に形成され、表面に六角錐台形の凸部を有する下地層と、該下地層の上に形成され、素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/323

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 31/10 A

F-Term (28)：

5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049PA04 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049SS04 ,  5F049SS07 ,  5F049SS08 ,  5F049WA03 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオ-ドおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-154957   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化ガリウム系半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-292684   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体基板および窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-067553   Applicant：日亜化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Mg-doped GaN: Similar defects in bulk crystals and layers grownon Al2O3 by metal-organic chemical-va