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J-GLOBAL ID：200903019968035027

窒化物半導体基板および窒化物半導体素子

Inventor： 川野 義弘 ,  小崎 徳也 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998067553
Publication number (International publication number)：1999266034
Application date： Mar. 18, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【目的】 結晶欠陥が少なく、かつ電極を形成するのに十分なキャリア濃度を有する窒化物半導体基板と、その基板を有して、結晶欠陥が少なく窒化物半導体を積層できる新規な窒化物半導体素子の構造を提供する。【構成】 第1の主面と第2の主面とを有し、n型不純物がドープされた窒化物半導体を有し、かつ少なくとも一方の主面側に窒化物半導体が露出している窒化物半導体基板であって、その窒化物半導体基板には、前記第1の主面、若しくは第2の主面のいずれか一方に接近するに従って、n型不純物濃度が小さくなっている濃度勾配領域を有する。濃度勾配領域をコンタクト層とすると、どの濃度勾配領域を露出させても、その層がn+側となる。

Claim (excerpt)：

第1の主面と第2の主面とを有し、n型不純物がドープされた窒化物半導体を有し、かつ少なくとも一方の主面側に窒化物半導体が露出している窒化物半導体基板であって、その窒化物半導体基板には、前記第1の主面、若しくは第2の主面のいずれか一方に接近するに従って、n型不純物濃度が小さくなっている濃度勾配領域を有することを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭54-152876
  
• 3族窒化物半導体基板及び素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-150270   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• p型GaN系半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-162473   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238553   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特開昭54-152876