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J-GLOBAL ID：200903016475937936

化合物半導体素子

Inventor： 藤本 英俊 ,  大場 康夫 ,  波多腰 玄一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997206362
Publication number (International publication number)：1998145006
Application date： Jul. 31, 1997
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、基板と窒化物系化合物半導体層との間の格子欠陥の発生と電圧上昇とを阻止し、特性の向上を図る。【解決手段】 炭化珪素基板と窒化物系化合物半導体層とを備えた化合物半導体素子において、炭化珪素基板(11)と窒化物系化合物半導体層(13)との間に、炭化珪素と窒化物系化合物半導体とからなる中間層(12)を備えた化合物半導体素子。

Claim (excerpt)：

炭化珪素基板と窒化物系化合物半導体層とを備えた化合物半導体素子において、前記炭化珪素基板と前記窒化物系化合物半導体層との間に、炭化珪素と窒化物系化合物半導体とからなる中間層を備えたことを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/04 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/04 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• III族窒化物の能動層をもつ長寿命垂直構造発光ダイオード
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-510943   Applicant：クリー・リサーチ,インコーポレイテッド
• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-013393   Applicant：シャープ株式会社