III族窒化物の能動層をもつ長寿命垂直構造発光ダイオード

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥山尚男 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996510943
Publication number (International publication number)：1998506234
Application date： Sep. 19, 1995
Publication date： Jun. 16, 1998
Summary：

【要約】可視スペクトルの青色部分で発光し、寿命が長いという特徴をもつ発光ダイオードであり、導電性炭化ケイ素基板と、炭化ケイ素基板へのオーム接触部と、基板上の導電性バッファ層と、バッファ層上のpn接合を含む2重ヘテロ構造とから成る。この導電性バッファ層は、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、AとBがIII族元素で、xが0、1または0と1の間の分数である式AxB1-xNの3元III族窒化物、および、そのような3元III族窒化物と炭化ケイ素の合金からなる群から選択される。上記2重ヘテロ構造では、能動層とヘテロ構造層が2元III族窒化物と3元III族窒化物から選択される。

Claim (excerpt)：

可視スペクトルの青色部分で発光し寿命が長い特徴をもつ発光ダイオードであって、導電性炭化ケイ素基板(21)と、前記炭化ケイ素基板へのオーム接触部(22)と、前記基板(21)上の導電性バッファ層(23)と、ここで、この導電性バッファ層は、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、式AxB1-xNの3元III族窒化物(式中、AとBがIII族元素で、xが0、1または0と1の間の分数である)、式AxByC1-x-yNの4元III族窒化物(式中、A、B、CがIII族元素で、xとyが0、1または0と1の間の分数であり、(x+y)が1未満である)、およびそのような3元および4元III族窒化物と炭化ケイ素の合金から成る群から選択され、 p型層とn型層が2元III族窒化物と3元III族窒化物から成る群から選択される前記バッファ層上のpn接合ダイオード構造(24)と、を含んでなる前記発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292304 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-045809 Applicant：シャープ株式会社

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