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J-GLOBAL ID：200903016517976538

成膜装置及び成膜方法

Inventor：
堅田 富夫

About 堅田 富夫


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337148
Publication number (International publication number)：1999176821
Application date： Dec. 08, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 膜質、膜厚、組成など膜特性の均一性を向上させることが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】 ターゲット電極11と、このターゲット電極に対向してウエハ12を載置するサセプタ13a、13bと、このサセプタの周囲に設けられたシールド18a、18b、18cとを備えた成膜装置において、ポテンシャル調整回路22a、22bによってサセプタの電位分布を制御する、或いは、ポテンシャル調整回路19a、19bによってシールドの少なくともサセプタ近傍の電位を制御するようにした。また、水冷パイプ23a、23bによってサセプタの温度分布を制御する、或いは、水冷パイプ20によってシールドの少なくともサセプタ近傍の温度を制御するようにした。
Claim (excerpt)：
ターゲット電極と、このターゲット電極に対向してウエハを載置するサセプタと、このサセプタの周囲に設けられたシールドとを備えた成膜装置において、前記サセプタの電位分布を制御する電位制御手段を設けたことを特徴とする成膜装置。
IPC (4)：
H01L 21/31 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/203
FI (5)：
H01L 21/31 D ,  C23C 14/34 J ,  C23C 14/34 K ,  C23C 14/54 D ,  H01L 21/203 S
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 特開平4-196319
  • 半導体製造方法および装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-000901   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
  • 特開平1-152271
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Cited by examiner (5)
  • 特開平4-196319
  • 半導体製造方法および装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-000901   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
  • 特開平1-152271
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