スパッタリング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：保立浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998016347
Publication number (International publication number)：1999087245
Application date： Jan. 12, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】品質の良いスパッタリング成膜が行える実用的なスパッタリング装置を提供する。【解決手段】排気系21を備えた処理チャンバー2内に配置されたターゲット21と基板ホルダー24との間のスパッタリング粒子飛行空間を取り囲むようにして筒状の防着シールドが備えられる。基板ホルダー24は移動機構28によって成膜処理の合間に移動されて防着シールド27から遠ざけられ、スパッタリング粒子飛行空間の排気の際のコンダクタンスが向上する。移動機構28は成膜処理中にも駆動され、ターゲット221と基板Sとの距離が変化して基板Sに堆積する薄膜の膜厚分布が均一になる。基板ホルダー24は基板Sを加熱するヒータを内蔵し、金属からなる複数のブロックが拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されている。

Claim (excerpt)：

排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内に被スパッタリング面が露出するように配置されたターゲットを有するカソードと、カソードに電力を与えてスパッタリング放電を生じさせるカソード電源と、スパッタリングされたターゲットの材料が到達する処理チャンバー内の所定位置に基板を配置するための基板ホルダーとを備えたスパッタリング装置であって、前記基板ホルダーは、基板を加熱するヒータを内蔵した加熱ブロックを含む同種又は異種の金属からなる複数のブロックを有し、当該複数のブロックは、拡散接合によって熱伝導性及び気密性良く接合されていることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3)：

H01L 21/203 , C23C 14/34 , H01L 21/285

FI (3)：

H01L 21/203 S , C23C 14/34 K , H01L 21/285 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

静電チャック
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-354545 Applicant：株式会社創造科学, 有限会社ミヤタアールアンディ
特開平4-105316
真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-108484 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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Cited by examiner (7)

静電チャック
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-354545 Applicant：株式会社創造科学, 有限会社ミヤタアールアンディ
特開平4-105316
真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-108484 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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