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J-GLOBAL ID：200903016521123051

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 竹内 哲也 ,  金子 和 ,  山田 範秀 ,  天野 浩 ,  赤▲崎▼ 勇
Applicant, Patent owner： アジレント・テクノロジーズ・インク
Agent (1)： 加藤 公久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998313993
Publication number (International publication number)：2000124552
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】レーザ発振光の遠視野像が単峰性を示す効率の良い窒化物半導体レーザ素子の構成とその製造方法とを与える。【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、AlNを含む低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlNを含むことにより、クラック発生なく有効に光を閉じ込めができる構造を有する。そして、出射レーザ光の遠視野における強度分布である遠視野像が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さとAlNのモル分率の少なくとも一方を調整できる特徴を有する。

Claim (excerpt)：

AlNを含む低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlNを含む窒化物半導体単結晶層とを含む窒化物半導体レーザ素子。

F-Term (8)：

5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073EA18 ,  5F073EA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-034559   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-242985
  
• 窒化ガリウム系半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-333172   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-183001   Applicant：松下電器産業株式会社
• 単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-184740   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物半導体素子及び半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056870   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-006299   Applicant：日亜化学工業株式会社