窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006299
Publication number (International publication number)：1997199787
Application date： Jan. 18, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体レーザ素子の活性層の横モードの光閉じ込めを行い安定したレーザ素子を得る。【構成】 n型窒化物半導体とp型窒化物半導体層との間にレーザ発振する活性層を有し、レーザ光の共振方向に対して平行な前記n型窒化物半導体層、前記活性層及び前記p型窒化物半導体層の表面には誘電体薄膜が形成され、その誘電体薄膜の表面に金属薄膜が形成されている。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体とp型窒化物半導体層との間にレーザ発振する活性層を有し、レーザ光の共振方向に対して平行な前記n型窒化物半導体層、前記活性層及び前記p型窒化物半導体層の表面には誘電体薄膜が形成され、その誘電体薄膜の表面に金属薄膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190466 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物半導体の電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-082428 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-121878 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190466 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物半導体の電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-082428 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-121878 Applicant：日本電気株式会社

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