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J-GLOBAL ID：200903016648749120

半導体デバイス検査装置

Inventor：
山田 恵三

About 山田 恵三

, 
板垣 洋輔

About 板垣 洋輔

, 
牛木 健雄

About 牛木 健雄

, 
辻出 徹

About 辻出 徹


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 井出 直孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000374572
Publication number (International publication number)：2002176088
Application date： Dec. 08, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：
【要約】【課題】 外部からの雑音を減らして精度の高い非破壊検査を可能とする。【解決手段】 平均電流を測定する際に、ホールが設けられていない領域から得られた値をバックグラウンド値として補正する。電流測定を電流差動入力アンプ構成で行う。測定された電流波形から、その測定結果がデバイス異常によるものか装置異常によるものかを自動的に識別する。電子ビームの電流値を測定する。電子ビーム照射後に電流測定値が安定するまでの待ち時間を記憶して再利用する。
Claim (excerpt)：
半導体デバイスが形成された検査対象試料上の検査領域に電子ビームを照射する手段と、検査領域に設けられたホールを電子ビームが通過してその下地の導電層に達することによりその導電層に生じる電流を測定する手段と、1以上のホールが設けられた領域を検査領域とし、順次または一括して電子ビームを照射したときに前記測定する手段により得られる平均電流値をその検査領域の良否判定の基準として求める処理手段とを備えた半導体デバイス検査装置において、前記処理手段は、ホールが設けられていない領域に電子ビームを照射したときに前記測定する手段により得られた平均電流値をバックグラウンド値とし、このバックグラウンド値を検査領域により得られた平均電流値から減算する手段を含むことを特徴とする半導体デバイス検査装置。
IPC (6)：
H01L 21/66 ,  G01B 15/00 ,  G01N 27/00 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/302 ,  G01N 23/225
FI (7)：
H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 C ,  G01B 15/00 B ,  G01N 27/00 Z ,  G01R 1/06 F ,  G01N 23/225 ,  G01R 31/28 L
F-Term (50)：
2F067AA51 ,  2F067AA62 ,  2F067BB01 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067EE03 ,  2F067FF00 ,  2F067HH06 ,  2F067HH13 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067KK06 ,  2F067PP12 ,  2F067QQ03 ,  2F067UU33 ,  2F067UU38 ,  2G001AA03 ,  2G001FA02 ,  2G001FA06 ,  2G001FA09 ,  2G001GA09 ,  2G001GA11 ,  2G001JA16 ,  2G001LA11 ,  2G001PA07 ,  2G011AA01 ,  2G011AE03 ,  2G032AA00 ,  2G032AE02 ,  2G032AF08 ,  2G032AL00 ,  2G060AA09 ,  2G060AE01 ,  2G060AF09 ,  2G060EA07 ,  2G060EB09 ,  2G060HC10 ,  2G060HC14 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA14 ,  4M106CA38 ,  4M106CA48 ,  4M106DB01 ,  4M106DE08 ,  4M106DE20 ,  4M106DE24 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ12 ,  4M106DJ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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