洗浄・乾燥処理装置及びその方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中本菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999201414
Publication number (International publication number)：2001028358
Application date： Jul. 15, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】パーティクルの発生や水素ガス等の発生がなく、小型にして容易にオゾン水を生成して、被処理体の酸化膜形成に供せるようにした洗浄・乾燥処理を行えるようにすること。【解決手段】半導体ウエハWを洗浄する洗浄部1と、半導体ウエハWを乾燥する乾燥部2とを具備する洗浄・乾燥処理装置において、洗浄部1を、薬液又はリンス液を貯留する処理槽10にて形成すると共に、この処理槽10と薬液供給源17及びリンス液供給源(純水供給源15)とを供給管路(リンス液供給管路14)を介して接続し、リンス液供給管路14に、オゾン水生成手段21を介設する。これにより、薬液処理及びリンス処理された半導体ウエハWの表面に酸化膜を形成し、その後乾燥することができる。

Claim (excerpt)：

被処理体を洗浄する洗浄部と、上記被処理体を乾燥する乾燥部とを具備する洗浄・乾燥処理装置において、上記洗浄部を、薬液又はリンス液を貯留する処理槽にて形成すると共に、この処理槽と薬液供給源及びリンス液供給源とを供給管路を介して接続し、上記リンス液の供給管路に、オゾン水生成手段を介設してなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体基板の処理システムおよび処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-277555 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-354334
洗浄方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-080465 Applicant：積水化成品工業株式会社

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