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J-GLOBAL ID：200903016845821720

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 奥村 智洋 ,  齋藤 光央
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (2)： 河宮 治 ,  和田 充夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004000379
Publication number (International publication number)：2004253785
Application date： Jan. 05, 2004
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：

【課題】 一様な処理を行うことが可能なプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 被処理物17の近傍に配置されたプラズマ源19にガスを供給しつつ、上記プラズマ源に設けられた電極又は上記被処理物に電力を供給することによりプラズマを発生させ、このプラズマによって生成された活性粒子を上記被処理物の一部位に作用させ、上記被処理物を加工するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、上記プラズマの発光強度をモニタリングして上記被処理物の加工処理の終点検出を行う。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

被処理物の近傍に配置されたプラズマ源にガスを供給しつつ、上記プラズマ源に設けられた電極又は上記被処理物に電力を供給することによりプラズマを発生させ、このプラズマによって生成された活性粒子を上記被処理物の一部位に作用させ、上記被処理物を加工するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、 上記プラズマの発光強度をモニタリングして上記被処理物の加工処理の終点検出を行うプラズマ処理方法。

IPC (1)：

H01L21/3065

FI (1)：

H01L21/302 103

F-Term (4)：

5F004BA20 ,  5F004BB24 ,  5F004CB05 ,  5F004CB09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• プラズマ表面処理装置及びプラズマ表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-133591   Applicant：積水化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• プラズマエッチング装置の制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-284206   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特開平1-302820
  
• エッチング終点検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-271328   Applicant：富士通株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-277359   Applicant：シャープ株式会社