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J-GLOBAL ID：200903016974500565

ALD表面処理のためのプラズマ処理

Inventor：
ヨールク・シューマッハー

About ヨールク・シューマッハー

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アナ・マルティン・オヤス

About アナ・マルティン・オヤス

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マルク・シェーケルス

About マルク・シェーケルス

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セルジュ・ファンヘーレメーアスフ

About セルジュ・ファンヘーレメーアスフ


Applicant, Patent owner：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

About アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ


Agent (2)： 河宮 治 ,  石野 正弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003293898
Publication number (International publication number)：2004165634
Application date： Aug. 15, 2003
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：
【課題】 有機物含有材料でつくられている誘電体層上にALDにより堆積された層を有する、半導体プロセスに有用な基板を提供する。【解決手段】 基板は、有機物含有材料を含み、第1の領域11と第2の領域22とを有する誘電体層を含んでいる。第1の領域11は、誘電体層中に組み入れられた第1の量の窒素を有し、第2の領域22は、誘電体層中に組み入れられた第2の量の窒素を有する。第2の領域22中の窒素の量は、第1の領域11中の窒素の量よりも多くなっている。基板は、さらに、誘電体層1の第2の領域22に接触している、原子層堆積により堆積された層23を含んでいる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
有機物含有材料を含む誘電体層の表面に層を堆積するための方法であって、 a) 上記誘電体層の上記表面を、窒素を含有しているガス状物質に曝露し、これにより上記誘電体層の少なくとも曝露された表面を改質するステップと、 b) 上記誘電体層の上記の曝露された表面に原子層堆積プロセスにより層を堆積するステップとを含んでいる方法。
IPC (4)：
H01L21/285 ,  C23C16/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768
FI (4)：
H01L21/285 C ,  C23C16/02 ,  H01L21/28 A ,  H01L21/90 S
F-Term (43)：
4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA36 ,  4K030BA38 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA14 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB34 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033RR26 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 米国特許第4,058,430号明細書
  • 米国特許第5,711,811号明細書
  • 国際公開第0243115号パンフレット
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Cited by examiner (4)
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