基板の貫通電極形成方法および貫通電極を有する基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加川征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001034528
Publication number (International publication number)：2002237468
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】シリコン基板に高アスペクト比の貫通電極を形成する。【解決手段】光励起電解研磨法によりシリコン基板11に高アスペクト比の貫通孔12を形成する。この貫通孔12の内壁を酸化処理して絶縁層としての酸化膜21を形成する。次いで、貫通孔12に溶融金属埋め戻し法により金属23を充填して、貫通電極(23)とする。シリコン基板11に高アスペクト比の貫通電極12を容易に形成でき、例えばシリコンICチップを積層した高密度実装の半導体パッケージを実現すること等が容易になる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板等の基板に貫通電極を形成する貫通電極形成方法であって、光励起電解研磨法により、基板に高アスペクト比の貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁を酸化処理して絶縁層としての酸化膜を形成し、次いで、前記貫通孔に溶融金属埋め戻し法により金属を充填することを特徴とする基板の貫通電極形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 , H01L 21/02 , H01L 21/3063 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/28 E , H01L 21/02 B , H01L 21/316 S , H01L 21/306 L

F-Term (31)：

4M104AA01 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD07 , 4M104DD09 , 4M104DD22 , 4M104DD23 , 4M104DD26 , 4M104DD31 , 4M104EE02 , 4M104EE16 , 4M104FF01 , 4M104FF21 , 4M104GG04 , 4M104GG05 , 4M104HH14 , 5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043DD08 , 5F043DD14 , 5F043FF04 , 5F043FF06 , 5F043GG04 , 5F058BC03 , 5F058BE04 , 5F058BE10 , 5F058BF46 , 5F058BF56 , 5F058BF63 , 5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

微細加工方法および微細加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-302695 Applicant：株式会社デンソー
シリコン基板の貫通孔形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-056361 Applicant：株式会社フジクラ
ノズルプレートの製造方法およびシリコン基板の加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-071028 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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