ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿仁屋節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299755
Publication number (International publication number)：1995152140
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 EBデータの変換等の繁雑な手法を用いることなく、比較的簡単な方法により、焦点深度向上のためのバイアスの付与されたマスクパターンが得られるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供する。【構成】バイアスが付与されたマスクパターンを形成する方法として、透明基板1に光半透過部を構成するために必要な膜を形成してこの部位にフォトリソグラフィー法によって光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成する方法を用いるようにし、このフォトリソグラフィー法における露光用マスクとして、透明基板1に、マスク設計値通りの寸法を有する遮光膜パターン2を形成し、この露光用マスクを用いて光半透過部を構成するために必要な膜4aを形成した部位に形成されたフォトレジスト5aにオーバー露光を施すことによって、バイアスが付与されたマスクパターンを形成するようにした。

Claim (excerpt)：

微細パターン露光を施すためのマスクであり、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつこの光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界近傍を通過した光が互いに打ち消し会うようにして境界部のコントラストを良好に保持できる転写パターンが得られるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクであって、前記マスクパターンを、前記光透過部のパターン形状の寸法を前記転写パターン寸法から規定される本来の寸法より大きく設定するバイアス付与が施されたものとすることにより、前記転写時における焦点深度を向上させるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクを製造するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、前記バイアスが付与されたマスクパターンを形成する方法として、前記透明基板に前記光半透過部を構成するために必要な膜を形成してこの部位にフォトリソグラフィー法によって光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成する方法を用いるようにし、このフォトリソグラフィー法における露光用マスクとして、前記透明基板に、前記転写パターン寸法から規定される本来のパターン寸法通りの寸法を有する低透過率膜パターン又は遮光膜パターンを形成して、この低透過率膜パターン又は遮光膜パターンによって露光パターンが規制されるようにした露光用マスクを形成し、この露光用マスクを用いて前記光半透過部を構成するために必要な膜を形成した部位に形成されたフォトレジストに通常の露光量より多い露光量で露光を行うオーバー露光を施すことによって、前記バイアスが付与されたマスクパターンを形成することを特徴としたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-136854
特開平4-162039
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-007675 Applicant：株式会社東芝

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