プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999087743
Publication number (International publication number)：2000286235
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】高周波電流のリターン電流によって異常放電が生じ難いプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】内部が真空状態に保持可能なチャンバー1と、基板Wを支持するとともに、高周波が印加される下部電極2と、下部電極に対向して設けられた上部電極16と、下部電極2に高周波を印加して、上部電極および下部電極の間に処理ガスのプラズマを形成する高周波電源11と、高周波電源11から下部電極2に給電するための給電部材8と、プラズマから少なくともチャンバー1内壁を通って高周波電源へ戻るリターン電流回路のインピーダンスを調整するインピーダンス調整手段30とによりプラズマ処理装置が構成される。

Claim (excerpt)：

内部が真空状態に保持可能なチャンバーと、前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、前記チャンバー内に処理ガスを導入するガス導入機構と、被処理体を支持するとともに、高周波が印加される下部電極と、前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、前記チャンバー外に設けられ、前記下部電極に高周波を印加して、上部電極および下部電極の間に処理ガスのプラズマを形成する高周波電源と、前記高周波電源から前記下部電極に給電するための給電部材と、プラズマから少なくともチャンバー内壁を通って高周波電源へ戻るリターン電流回路のインピーダンスを調整するインピーダンス調整手段とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/3065 , C23C 16/505 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/302 E , C23C 16/50 B , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , H05H 1/46 R

F-Term (41)：

4K030FA03 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030KA49 , 4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DD01 , 4K057DM01 , 4K057DM02 , 4K057DM03 , 4K057DM06 , 4K057DM08 , 4K057DM31 , 4K057DM33 , 4K057DM37 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 4K057DN02 , 5F004BB13 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BC08 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045BB20 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH13 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F045EJ01 , 5F045EJ02 , 5F045EJ03 , 5F045EJ05 , 5F045EM05 , 5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-145785 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-203794 Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-058516 Applicant：株式会社フロンテック, 日本真空技術株式会社

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