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J-GLOBAL ID：200903017094032003

電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器

Inventor：
増田 貴史

About 増田 貴史

, 
瀧口 宏志

About 瀧口 宏志


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004322976
Publication number (International publication number)：2006135109
Application date： Nov. 05, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：
【課題】特性に優れ、かつ、特性の経時劣化を防止し得る電子デバイス、かかる電子デバイスを用いた表示装置、および、電子機器を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタ1は、互いに分離して設けられたソース電極20aおよびドレイン電極20bと、ソース電極20aおよびドレイン電極20bの表面に形成された有機膜60と、ソース電極20aおよびドレイン電極20bを覆い、かつ、有機膜60と接触するように設けられた有機半導体層30と、有機半導体層30上に設けられたゲート絶縁層40と、ゲート絶縁層40上に設けられたゲート電極60とを有する。有機膜60は、好ましくは一般式:CF3(CF2)m(CH2)nSH(ただし、mは1〜35の整数を示し、nは2〜33の整数を示す。)で表される非共役系有機化合物を含む有機化合物を、ソース電極20aおよびドレイン電極20bの表面に結合させてなるものである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
一対の電極と有機半導体層とを有する電子デバイスであって、 前記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極の表面に、非共役系有機化合物を含む有機化合物を結合させてなる有機膜を有することを特徴とする電子デバイス。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/417
FI (6)：
H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M
F-Term (62)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

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