半導体装置およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003321870
Publication number (International publication number)：2005093542
Application date： Sep. 12, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：

【課題】スイッチング素子に、ボトムコンタクト型の有機TFTを用いることにより、表示装置,IDタグ,センサー等の半導体装置の低コストで提供すること。【解決手段】ボトムコンタクト型有機TFTの半導体層を多結晶材料で形成し、ソース・ドレイン電極のチャネル長方向におけるテーパー幅を、ソース・ドレイン電極上に成長する半導体結晶の平均粒径よりも短くする。または、ボトムコンタクト型有機TFTのソース・ドレイン電極のチャネル側側面の形状を、基板面に対して上に凸型になるように形成する。または、ボトムコンタクト型有機TFTのソース・ドレイン電極と半導体層との間には、前記半導体層とは異なる有機化合物層1Å以上10Å以下の厚さで介在させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極、及び半導体層を順次積層した薄膜トランジスタを用いた半導体装置において、前記半導体層は多結晶材料で形成され、前記ソース・ドレイン電極はチャネル側にテーパー部を有し、チャネル長方向の前記テーパー幅が、前記ソース・ドレイン電極上の半導体結晶の平均粒径よりも短いことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616T , H01L29/28

F-Term (36)：

5F110AA03 , 5F110AA05 , 5F110AA30 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK50 , 5F110HM07 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-069529 Applicant：株式会社日立製作所
有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-078396 Applicant：株式会社東芝
コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-055997 Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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