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J-GLOBAL ID:200903017126035964
マイクロ粒子層型の高効率太陽電池
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004244445
Publication number (International publication number):2006041452
Application date: Jul. 29, 2004
Publication date: Feb. 09, 2006
Summary:
【課題】 単位面積当たりの起電力を大幅に向上して、高効率の太陽電池を提供する。また、小型化によるコスト低減とフレキシブルな形状の実現を図ることで、多用途への応用が図られる高効率の太陽電池を提供する。【解決手段】 p型及びn型シリコンを、n型マイクロ粒子とp型マイクロ微粒子等に成形し、それらを一体的に組合せてpnマイクロ接合層を形成して単位面積あたりのpn接合面積を大幅に増加させる。これにより生成キャリアの電子と正孔の対がより多く発生して分極化が促進されより多くの起電力が得られる。また、受光面側のn型シリコン層を、n型マイクロ粒子とそれより細かい光拡散材とによって一体的に組み合わせた層に形成し、pnマイクロ接合層と一体的に組み合わせることでより立体的な厚みを持つpnマイクロ接合層が得られ、小型で高効率な太陽電池ができる。さらに、pnマイクロ接合層だけでなく、受光面となるn型シリコン層及び裏面のp型シリコン層をもマイクロメータレベルの粒子(微粒子含む。)とすることで、フレキシブルで高効率な太陽電池ができる。また帯状にしたこれらを、さらに渦巻き状に一体成形することでより高効率な太陽光発電パネルとなる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
n型シリコン及びp型シリコン(単結晶、多結晶及び微結晶シリコンのみならず、アモルファスシリコン及び化合物半導体を含む。以下同じ。)によるpn接合面(以下「pin接合」を含む。)において、n型シリコンをマイクロバブルのような球状のマイクロメーターレベルの粒子(以下「n型マイクロ粒子」といい、ナノメーターレベルの粒子を含む。またp型より細かいものを「n型マイクロ微粒子」とする。)にして幾つかの層に積み上げ、その隙間をn型マイクロ粒子よりさらに微細なp型シリコンの球状のマイクロメータレベルの粒子(以下「p型マイクロ微粒子」といい、ナノメーターレベルの粒子を含む。またn型マイクロ粒子と同程度の大きさのものを「p型マイクロ粒子」とする。)で全て充填させて、従来では平面形状であったpn接合面を、n型マイクロ粒子とp型マイクロ微粒子を一体的に組み合わせて立体的に厚みを持たせたpn接合層(以下「pnマイクロ接合層」といい、pin接合を含む。)に形成したことを特徴とする太陽電池。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (5):
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051HA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (13)
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太陽電池を含む球状半導体及びそれを用いた球状半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-336788
Applicant:株式会社三井ハイテック
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太陽電池およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-316344
Applicant:株式会社日立製作所
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光起電力装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-210208
Applicant:三洋電機株式会社
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Cited by examiner (8)
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光起電力装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-210208
Applicant:三洋電機株式会社
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半導体装置製造用基板、その製造方法、及び、光電変換装置、その製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-253930
Applicant:有限会社デジタル・ウェーブ
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特開昭55-140276
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半導体装置及び微粒子半導体膜の製造方法及び光電変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-161779
Applicant:株式会社東芝
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レーザ蒸着法によるSi薄膜の形成方法及びその薄膜を構成要素として含む光電変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-236969
Applicant:シャープ株式会社
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光電変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-334130
Applicant:日立マクセル株式会社
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太陽電池の製造方法及び太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-040512
Applicant:株式会社三井ハイテック
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半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-050973
Applicant:株式会社東芝
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