光電変換素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梶山佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000334130
Publication number (International publication number)：2001345125
Application date： Nov. 01, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】低抵抗損失及び低透過損失を有し、高い光電変換効率を達成でき、しかも液漏れせず、かつ優れた光電変換効率を長期にわたり維持することができる光電変換素子を提供する【解決手段】少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、?@前記半導体層を導電性物質と半導体材料とから構成し、及び/又は、?A前記電極と前記半導体層との間に導電性微粒子からなる層を配設し、及び/又は、?B前記電解質層を、多孔質支持体と該多孔質支持体内に充満された電解液とから構成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層が導電性物質と、半導体材料とから構成されていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01M 14/00 , H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P , H01L 31/04 Z

F-Term (20)：

5F051AA14 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032AS17 , 5H032BB02 , 5H032BB05 , 5H032BB10 , 5H032CC06 , 5H032CC14 , 5H032CC17 , 5H032EE02 , 5H032EE04 , 5H032EE07 , 5H032EE08 , 5H032EE16 , 5H032EE18 , 5H032HH01 , 5H032HH04 , 5H032HH07 , 5H032HH08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

光電変換材料用半導体およびそれを用いた化学電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-110479 Applicant：富士写真フイルム株式会社
色素増感型太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-084748 Applicant：住友大阪セメント株式会社
光電変換素子及び色素増感型太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-146790 Applicant：シャープ株式会社

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