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J-GLOBAL ID：200903017250851869

カーボンナノウォールの製造方法、カーボンナノウォールおよび製造装置

Inventor： 平松 美根男 ,  堀 勝
Applicant, Patent owner： 平松 美根男 ,  堀 勝
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004252698
Publication number (International publication number)：2006069816
Application date： Aug. 31, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】 カーボンナノウォールを製造する新規な方法およびその方法の実施に適した装置を提供する。【解決手段】 少なくとも炭素を構成元素とする原料ガス32を反応室10に導入する。その反応室10には、第一電極22および第二電極24を含む平行平板型容量結合プラズマ(CCP)発生機構20が設けられている。これによりRF波等の電磁波を照射して、原料ガス32がプラズマ化したプラズマ雰囲気34を形成する。一方、反応室10の外部に設けられたラジカル発生室41において、少なくとも水素を含むラジカル源ガス36をRF波等により分解して水素ラジカル38を生成する。その水素ラジカル38をプラズマ雰囲気34中に注入して、第二電極24上に配置した基板5の表面にカーボンナノウォールを形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも炭素を構成元素とする原料物質がプラズマ化したプラズマ雰囲気を反応室の少なくとも一部に形成するとともに、そのプラズマ雰囲気中に該雰囲気の外部で生成したラジカルを注入して、該反応室中に配置した基材の表面にカーボンナノウォールを形成するカーボンナノウォールの製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 ,  B82B 3/00 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46

FI (5)：

C01B31/02 101F ,  B82B3/00 ,  H05H1/00 A ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 M

F-Term (10)：

4G146AA07 ,  4G146AB10 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC16 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA33 ,  4G146DA47

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 米国特許出願公開第2003/0129305号明細書
  
• ラジカル制御による薄膜形成および微細加工方法と装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241017   Applicant：名古屋大学長
• 炭素原子による成膜及びエッチング処理方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-257617   Applicant：後藤俊夫, 日本レーザ電子株式会社

Cited by examiner (3)

• 炭素薄体、炭素薄体形成方法および電界放出型電子源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-337203   Applicant：三菱電機株式会社
• カーボンナノチューブの製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-161292   Applicant：キヤノン株式会社
• 特許第3962420号
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Formation of Vertically Aligned Carbon Nanotubes by Dual-RF-Plasma Chemical Vapor Deposition