Pat
J-GLOBAL ID：200903017388470610

酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法

Inventor：
林 享

About 林 享

, 
佐野 政史

About 佐野 政史


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (2)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007136697
Publication number (International publication number)：2008294136
Application date： May. 23, 2007
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：
【課題】金属酸化物半導体を用いた複数の薄膜トランジスタにおいて形成プロセスの簡略化が可能な低コストで安定な電子素子を提供する。【解決手段】基板1上に少なくとも、ソース電極6、ドレイン電極5、チャネルを含む半導体領域2、ゲート絶縁膜3、及びゲート電極4を有する薄膜トランジスタが複数設けられた電子素子である。複数設けられた薄膜トランジスタ間の素子分離領域と半導体領域2は、同一層の金属酸化物層で構成され、素子分離領域が金属酸化物層7であり、半導体領域2が高抵抗金属酸化物層7の一部を低抵抗化することにより形成されている。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板上に少なくとも、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルを含む半導体領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタが複数設けられた電子素子であって、 前記複数設けられた薄膜トランジスタ間の素子分離領域と前記半導体領域とは、同一の金属酸化物層で構成され、前記半導体領域は、前記素子分離領域よりも低抵抗であることにより形成されていることを特徴とする電子素子。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/136
FI (9)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 621 ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/76 Z ,  H01L21/265 601A ,  H01L21/265 601Q ,  H05B33/14 A ,  G02F1/1368
F-Term (53)：
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA41 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092KA19 ,  2H092MA27 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF04 ,  5F032AA11 ,  5F032CA09 ,  5F032CA17 ,  5F032DA43 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM