酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山下穣平 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007136697
Publication number (International publication number)：2008294136
Application date： May. 23, 2007
Publication date： Dec. 04, 2008
Summary：

【課題】金属酸化物半導体を用いた複数の薄膜トランジスタにおいて形成プロセスの簡略化が可能な低コストで安定な電子素子を提供する。【解決手段】基板1上に少なくとも、ソース電極6、ドレイン電極5、チャネルを含む半導体領域2、ゲート絶縁膜3、及びゲート電極4を有する薄膜トランジスタが複数設けられた電子素子である。複数設けられた薄膜トランジスタ間の素子分離領域と半導体領域2は、同一層の金属酸化物層で構成され、素子分離領域が金属酸化物層7であり、半導体領域2が高抵抗金属酸化物層7の一部を低抵抗化することにより形成されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルを含む半導体領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタが複数設けられた電子素子であって、前記複数設けられた薄膜トランジスタ間の素子分離領域と前記半導体領域とは、同一の金属酸化物層で構成され、前記半導体領域は、前記素子分離領域よりも低抵抗であることにより形成されていることを特徴とする電子素子。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/76 , H01L 21/265 , H01L 51/50 , G02F 1/136

FI (9)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 621 , H01L29/78 618G , H01L29/78 616V , H01L21/76 Z , H01L21/265 601A , H01L21/265 601Q , H05B33/14 A , G02F1/1368

F-Term (53)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA41 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092KA19 , 2H092MA27 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF04 , 5F032AA11 , 5F032CA09 , 5F032CA17 , 5F032DA43 , 5F032DA60 , 5F032DA74 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F110HJ02 , 5F110HJ13 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-264885 Applicant：科学技術振興事業団
国際公開第2005/088726号パンフレット

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-017841 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置、電子機器、半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-017033 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
導電性金属酸化物皮膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-145778 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

Return to Previous Page