Pat

J-GLOBAL ID：200903017401355591

SiC半導体とSiCエピタキシャル成長方法

Inventor： 阿部 芳久 ,  鈴木 俊一 ,  中西 秀夫 ,  寺嶋 一高
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001270242
Publication number (International publication number)：2003081695
Application date： Sep. 06, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 格子定数の違いによるミスフィット転位を抑制し、しかも、品質の高いSiC半導体とSiCエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 Siウェーハの表面に、BPのバッファー層を介して、3C-SiCがエピタキシャル成長により形成されているSiC半導体であって、そのBPが閃亜鉛鉱型の単結晶である。基板となるSiウェーハの上に3C-SiCをエピタキシャル成長させる際に、BPをバッファー層として介在させるSiCエピタキシャル成長方法であって、そのBPが閃亜鉛鉱型の単結晶である。

Claim (excerpt)：

Siウェーハの表面に、BPのバッファー層を介して、3C-SiCがエピタキシャル成長により形成されていることを特徴とするSiC半導体。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB05 ,  4G077DB09 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA06 ,  4G077TK01 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AC03 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開平2-229476
  
• 特開平2-275682
  
• 積層構造体及びそれを用いた化合物半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-066769   Applicant：昭和電工株式会社
• GaN半導体結晶成長用Siウエーハ、それを用いたGaN発光素子用ウエーハ及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-164835   Applicant：東芝セラミックス株式会社, 寺嶋一高, 西村鈴香
• III族窒化物半導体光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-176399   Applicant：昭和電工株式会社

Cited by examiner (5)

• 特開平2-229476
  
• 特開平2-275682
  
• 積層構造体及びそれを用いた化合物半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-066769   Applicant：昭和電工株式会社
• GaN半導体結晶成長用Siウエーハ、それを用いたGaN発光素子用ウエーハ及びそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-164835   Applicant：東芝セラミックス株式会社, 寺嶋一高, 西村鈴香
• III族窒化物半導体光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-176399   Applicant：昭和電工株式会社