Pat
J-GLOBAL ID：200903015909977358

III族窒化物半導体光デバイス

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999176399
Publication number (International publication number)：2001007396
Application date： Jun. 23, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】シリコン基板上に、結晶性に優れるIII族窒化物半導体発光部を構成するのに必要な、含硼素III-V族化合物半導体から成る緩衝層を形成する。【解決手段】シリコン基板の表面に多結晶Si層或いは非晶質Si層を形成した上で含硼素III-V族化合物半導体緩衝層を積層する。
Claim (excerpt)：
Si単結晶基板上に、発光部として一般式Al<SB>a</SB>Ga<SB>b</SB>In<SB>c</SB>N<SB>q</SB>M<SB>1-</SB><SB>q</SB>(0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、a+b+c=1、Mは窒素以外の第V族元素を表し、0<q≦1)で表記される層を含むIII族窒化物半導体光デバイスにおいて、Si単結晶基板と発光部との間に、多結晶Siから成る障壁層と、含硼素III-V族化合物半導体結晶からなる緩衝層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体光デバイス。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 S ,  H01S 5/343
F-Term (38)：
5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA25 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA83 ,  5F041CA87 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD16 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL16 ,  5F103LL17 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103PP14 ,  5F103PP15 ,  5F103RR10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM