有機半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005199812
Publication number (International publication number)：2007019291
Application date： Jul. 08, 2005
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：

【課題】多数の分子材料に一般的に適用が可能な、有機半導体薄膜層との間でキャリヤを効率よく出し入れするための電気的接点となる電極及び電流を流すための電流経路となる導電性の高い層を提供することを課題とする。【解決手段】薄膜トランジスタの能動領域を構成し、弱い電子供与性分子からなる第1の有機半導体層と、第1の有機半導体層に重ねて形成された強い電子授容性分子からなる、一対の第2の有機半導体層を備え、第1及び第2の有機半導体層の界面を上記薄膜トランジスタのソース、ドレイン領域及びその引き出し電極としたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタの能動領域を構成し、弱い電子供与性分子からなる有機半導体層と、該有機半導体層に重ねて形成された強い電子授容性分子からなる、一対の有機化合物分子層を備え、該有機半導体層と有機化合物分子層との界面に形成される電荷移動層を上記薄膜トランジスタのソース、ドレイン領域及びその引き出し電極としたことを特徴とする有機半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/28 100A , H01L29/28 220B

F-Term (20)：

5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開昭61-202420号公報
有機トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-402664 Applicant：株式会社東芝
特開2003-353165号公報

Cited by examiner (4)

有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-208210 Applicant：パイオニア株式会社
有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-265170 Applicant：パイオニア株式会社
有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-274401 Applicant：松下電器産業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

有機金属電極を用いた分子性単結晶FETの動作制御
化学的ドーピングによる有機薄膜 FET の動作制御

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