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J-GLOBAL ID:200903017518702420

成膜方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998323329
Publication number (International publication number):2000144414
Application date: Nov. 13, 1998
Publication date: May. 26, 2000
Summary:
【要約】【課題】 一般的なプラズマ成膜装置を用いて、電気的絶縁性の膜材料を不純物を混入させることなく被処理物表面上に確実に成膜できる成膜方法を提供する。【解決手段】 絶縁物から成る絶縁物粒間に導電性物質を介在させたものを膜材料200として用いる。
Claim (excerpt):
真空室内にてハースに収容した膜材料をプラズマビームによって蒸発させることによって絶縁性膜を被処理物体に付着させる成膜方法において、絶縁物から成る絶縁物粒間に導電性物質を介在させたものを前記膜材料として用いることを特徴とする成膜方法。
IPC (3):
C23C 14/38 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08
FI (3):
C23C 14/38 ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/08 J
F-Term (16):
4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029CA03 ,  4K029CA13 ,  4K029DA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DB05 ,  4K029DB10 ,  4K029DB11 ,  4K029DD05 ,  4K029KA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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