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J-GLOBAL ID：200903017525598360

イオン窒化装置およびこれを用いた成膜装置

Inventor：
寺山 暢之

About 寺山 暢之

, 
柏原 哲隆

About 柏原 哲隆

, 
清水 信行

About 清水 信行


Applicant, Patent owner：
神港精機株式会社

About 神港精機株式会社


Agent (1)： 木村 正俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003090522
Publication number (International publication number)：2004292934
Application date： Mar. 28, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：
【課題】白層を生じないイオン窒化処理を、安全で、しかも簡単な構成かつ低コストで実現する。【解決手段】プラズマガン20には、ガス供給口44を介して、窒化用ガスとしての窒素ガスおよび水素ガスが1対10の割合で供給される。そして、真空槽12内の圧力は、真空ポンプ16によって0.01Pa〜0.5Paに維持され、プラズマ38の発生による被処理物58,58,・・・の表面に対するイオン電流密度は、0.1mA/cm2〜5mA/cm2とされる。更に、被処理物58,58,・・・は、電熱ヒータ78によって450°C〜550°Cまで加熱され、これに、パルス電源装置76から周波数が50kHz〜250kHzの非対称パルス電圧がバイアス電圧として印加される。かかる条件下でイオン窒化処理が行われると、白層を生じることなく硬質の拡散層が形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
真空槽と、上記真空槽内を排気する排気手段と、上記真空槽内に窒素ガスおよび水素ガスを供給するガス供給手段と、上記真空槽内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、上記真空槽内に配置される被処理物の温度を制御する温度制御手段と、上記被処理物にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段と、を具備するイオン窒化装置において、 上記排気手段は上記真空槽内の圧力が0.01Pa乃至0.5Paとなるように該真空槽内を排気し、 上記ガス供給手段は上記水素ガスの流量に対する上記窒素ガスの流量の比率を0.1乃至1.0とし、 上記プラズマ発生手段は上記被処理物の表面に対するイオン電流密度が0.1mA/cm2乃至5mA/cm2となるように上記プラズマを発生させ、 上記温度制御手段は上記被処理物の温度を450°C乃至550°Cとすることを特徴とする、イオン窒化装置。
IPC (2)：
C23C8/36 ,  C23C16/27
FI (2)：
C23C8/36 ,  C23C16/27
F-Term (12)：
4K028BA02 ,  4K028BA12 ,  4K028BA21 ,  4K028BA22 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BA37 ,  4K030BB13 ,  4K030CA02 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030LA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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