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J-GLOBAL ID:200903017562976243
発光ダイオード
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
河野 登夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003284472
Publication number (International publication number):2005056953
Application date: Jul. 31, 2003
Publication date: Mar. 03, 2005
Summary:
【課題】 水分に対するシールド性、及び光に対する耐性を向上させて、色および光度の変化を抑制することができるLEDを提供する。 【解決手段】 LED素子1を覆う被覆部2を備えたLEDにて、Rn SiO2-n/2 を組成としたガラスを用いて被覆部2を形成する。本発明に係るガラスは、軟化温度が-40°Cから300°Cである低融点ガラスであり、従来のガラスに比べて低い温度で融解し、LED素子1を損傷することなく安全に被覆部2を形成できる。ガラスは、エポキシ樹脂に比べて、水分に対するシールド性および光に対する耐性が優れているため、ガラスで被覆部2を形成することにより、水分によるLED素子1及び蛍光体の劣化を低減し、また光による被覆部2の劣化を低減し、色および光度の変化を抑制する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子の一部又は全部を覆う透光性の被覆部とを備えた発光ダイオードにおいて、
前記被覆部は、Rn SiO2-n/2 を組成に含むガラスを用いてなることを特徴とする発光ダイオード。
但し、Rは、フェニル基(C6 H5 -)、エチル基(C2 H5 -)、メチル基(CH3 -)、ベンゾイル基(C6 H5 CO-)、ベンジル基(C6 H5 CH2 -)、又はビニル基(CH2 =CH-)のうち、少なくとも一つである。
IPC (1):
FI (2):
H01L33/00 N
, H01L33/00 M
F-Term (4):
5F041AA34
, 5F041AA44
, 5F041DA46
, 5F041EE25
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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特許第2927279号公報
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特許第3036465号公報
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特許第3152238号公報
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低融点ガラス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-217103
Applicant:株式会社関西新技術研究所
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Cited by examiner (9)
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コーティング組成物および硬化体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-097558
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-396297
Applicant:岡谷電機産業株式会社
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半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-156793
Applicant:サンケン電気株式会社
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