真空成膜装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998260533
Publication number (International publication number)：2000087225
Application date： Sep. 14, 1998
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】真空チャンバ内の雰囲気を検出して、被成膜体に形成される薄膜の状態を予め予測することができる真空成膜装置を提供する。【解決手段】真空成膜装置10のプラズマガン11により真空チャンバ12内に向けてプラズマビーム22を生成する。このプラズマガン11の出口部に向けて短管部12Aが突出し、この短管部12Aを包囲するように収束コイル18が設けられている。プラズマビーム22によりるつぼ19内の成膜材料20が蒸発し、蒸発した成膜材料20により基板13上に薄膜が形成される。真空チャンバ12内の雰囲気が質量分析計55により検出され、質量分析機55からの信号に基づいて制御部58により酸素供給管43の調整弁57が制御される。

Claim (excerpt)：

内部に成膜材料を収納したるつぼと、被成膜体が配置されるとともに、接地された真空チャンバと、プラズマビームを生成しこのプラズマビームを真空チャンバ内に送るプラズマガンと、プラズマガンにより生成したプラズマビームを磁場により軌道および/あるいは形状を制御させてるつぼ内の成膜材料に照射させ、この成膜材料を被成膜体に蒸着させる収束コイルとを備え、真空チャンバ内の雰囲気を分析する質量分析計を設けたことを特徴とする真空成膜装置。

IPC (5)：

C23C 14/32 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (5)：

C23C 14/32 B , H01L 21/203 Z , H01L 21/285 P , H01L 21/31 D , H01L 21/316 Y

F-Term (56)：

4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029AA25 , 4K029BA46 , 4K029BA50 , 4K029BC07 , 4K029BC09 , 4K029CA04 , 4K029DD00 , 4K029DD05 , 4K029EA04 , 4K029EA05 , 4M104AA10 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD35 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB40 , 5F045AC11 , 5F045AF07 , 5F045CA15 , 5F045DP22 , 5F045EB08 , 5F045EE12 , 5F045EH04 , 5F045EH16 , 5F045EH19 , 5F045EJ05 , 5F045EJ09 , 5F045GB06 , 5F045GB07 , 5F058BA20 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BF07 , 5F058BF18 , 5F058BF29 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG10 , 5F103AA10 , 5F103BB02 , 5F103BB14 , 5F103BB44 , 5F103BB49 , 5F103BB51 , 5F103BB60 , 5F103DD27 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

透明導電膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-250247 Applicant：大日本印刷株式会社
特開昭62-103362
荷電粒子除去電極及びその除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-162586 Applicant：日本原子力研究所

Show all

Return to Previous Page