Pat

J-GLOBAL ID：200903017671232629

半導体素子

Inventor： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  伊藤 潤 ,  野杁 静代
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998031982
Publication number (International publication number)：1999176758
Application date： Jan. 28, 1998
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコン製の基板の上にGaN系の半導体層が容易に形成できる新規な構成の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 シリコン製の基板とGaN系の半導体層との間にTi製の第1のバッファ層及びZr製の第2のバッファ層を設ける。これらバッファ層は所定の膜厚を持ち、所定の温度に昇温されたシリコン基板の(111)面に形成され、後にアニールされる。

Claim (excerpt)：

シリコン製の基板と、GaN系の半導体層と、前記基板と前記半導体層との間に設けられるバッファ層であって、該バッファ層は前記基板の上に形成されるTi製の第1のバッファ層と、該第1のバッファ層の上に形成されるZr製の第2のバッファ層とからなるバッファ層と、を備えてなる半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 電子デバイス用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-167686   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 半導体装置,及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-321725   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体薄膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-114166   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体発光素子,及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-245611   Applicant：三菱電機株式会社
• 窒化物薄膜単結晶及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-137228   Applicant：住友電気工業株式会社