マルチチップ半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004119405
Publication number (International publication number)：2004228598
Application date： Apr. 14, 2004
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】装置の平面面積が小さく、かつ放熱性に優れたマルチチップ半導体装置を提供すること。【解決手段】素子が集積形成されたシリコン基板2を有するチップ11 ,12 ,13 を積層してなるマルチチップ半導体装置において、隣り合う上下の2つのチップ11 ,12 の間に、貫通孔内に導電性プラグ4が形成された接続基板311 を設け、チップ11 ,12 を導電性プラグ4を介して互いに電気的に接続し、かつチップ11 ,12 の放熱性を改善するために、接続基板311 内にそれよりも熱伝導率の高い金属プレート32を設ける。チップ12 ,13 についても同様の手法により、チップ12 ,13 を接続し、かつチップ12 ,13 の放熱性を改善する。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

素子が集積形成された半導体基板を有するチップを複数積層してなるマルチチップ半導体装置において、隣り合う上下の2つのチップの間には、貫通孔内に導電性プラグが形成された接続基板が設けられ、かつ前記2つのチップはそれぞれバンプを介して前記導電性プラグに電気的に接続し、かつ前記接続基板は発熱部を有することを特徴とするマルチチップ半導体装置。

IPC (4)：

H01L25/065 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18

FI (2)：

H01L25/08 Z , H01L21/60 321Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体集積回路の実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-206656 Applicant：富士通株式会社
プリント基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158638 Applicant：日本ビクター株式会社
中継基板、その製造方法、中継基板付き基板、基板と中継基板と取付基板とからなる構造体、その製造方法およびその構造体の分解方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-207743 Applicant：日本特殊陶業株式会社

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