磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：吉武賢次 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007248247
Publication number (International publication number)：2009081215
Application date： Sep. 25, 2007
Publication date： Apr. 16, 2009
Summary：

【課題】情報保持のために必要な高い磁化反転エネルギーを有する磁化自由層を低電流で磁化反転させることのできるスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。【解決手段】膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層2と、膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層6と、磁化参照層と磁化自由層との間に設けられた中間層4と、磁化自由層に対して中間層と反対側に設けられて磁化自由層と磁気的に結合し、反強磁性体と強磁性体との間で磁気相転移が可能な磁気相転移層8と、磁気相転移層に対して磁化自由層と反対側に設けられ、磁気相転移層に反強磁性体から強磁性体への磁気相転移を生じさせる励起層10と、を備え、磁化自由層の磁化の向きは、中間層を介して磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された第1磁化参照層と、膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、前記第1磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられた第1中間層と、前記磁化自由層に対して前記第1中間層と反対側に設けられて前記磁化自由層と磁気的に結合し、反強磁性体と強磁性体との間で磁気相転移が可能な磁気相転移層と、前記磁気相転移層に対して前記磁化自由層と反対側に設けられ、前記磁気相転移層に反強磁性体から強磁性体への磁気相転移を生じさせる励起層と、を備え、前記磁化自由層の磁化の向きは、前記第1中間層を介して前記第1磁化参照層および前記磁化自由層に通電することにより変化可能であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11C 11/15

FI (3)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11C11/15 112

F-Term (29)：

4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF16 , 5F092AB08 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC04 , 5F092BC13 , 5F092BC46 , 5F092BE06 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,256,223号明細書

Cited by examiner (4)

磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-262444 Applicant：株式会社東芝
磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-097889 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-268670 Applicant：株式会社東芝

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