半導体装置及びその作製方法並びに半導体装置応用システム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008131238
Publication number (International publication number)：2008263212
Application date： May. 19, 2008
Publication date： Oct. 30, 2008
Summary：

【目的】本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、窒化ホウ素膜を用いて表面保護および表面不活性化を実現できる半導体表面処理、成膜方法およびその表面保護技術や表面下活性化技術を用いて作製した高性能半導体装置並びに半導体装置を含む通信システムの電子装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/318 , H01L 21/331 , H01L 29/737 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (4)：

H01L21/318 B , H01L29/72 H , H01L29/80 Q , H01L29/80 H

F-Term (38)：

5F003BA13 , 5F003BA92 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BF90 , 5F003BG10 , 5F003BM03 , 5F003BP11 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC07 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD09 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF12 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BH11 , 5F058BJ03 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

エピタキシャルウェハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-324870 Applicant：昭和電工株式会社
窒化ホウ素冷陰極
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-529362 Applicant：ウェインステイトユニヴァーシティー
電子放出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-373703 Applicant：杉野隆, 株式会社渡邊商行

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