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J-GLOBAL ID：200903017953526781

メッキ被膜付き回路パターンの形成方法

Inventor：
吉田 誠

About 吉田 誠

, 
阿部 正行

About 阿部 正行


Applicant, Patent owner：
ミヤチテクノス株式会社

About ミヤチテクノス株式会社


Agent (1)： 飯塚 信市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998183017
Publication number (International publication number)：2000022307
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 この種の架橋導体部分の切除作業の効率化を達成し、併せて、切除作業が製品に与える悪影響を可及的に軽減する。【解決手段】 絶縁性基材の表面に回路パターンに相当する導体パターンを形成する第1の工程と、前記導体パターンを電極とする電界メッキ法により導体パターンの表面にメッキ被膜を成長させる第2の工程と、前記メッキ被膜が成長された導体パターンに含まれる架橋導体部分を切除することにより回路パターンの孤島導体部分を出現させる第3の工程とを有するメッキ被膜付き回路パターンの形成方法であって、前記第3の工程における架橋導体部分の切除はレーザ光線の照射により行われる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基材の表面に回路パターンに相当する導体パターンを形成する第1の工程と、前記導体パターンを電極とする電界メッキ法により導体パターンの表面にメッキ被膜を成長させる第2の工程と、前記メッキ被膜が成長された導体パターンに含まれる架橋導体部分を切除することにより回路パターンの孤島導体部分を出現させる第3の工程とを有するメッキ被膜付き回路パターンの形成方法であって、前記第3の工程における架橋導体部分の切除はレーザ光線の照射により行われることを特徴とする請求項1に記載のメッキ被膜付き回路パターンの形成方法。
IPC (6)：
H05K 3/24 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/12 ,  H01L 23/13 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/22
FI (6)：
H05K 3/24 A ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/12 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/22 E ,  H01L 23/12 C
F-Term (13)：
4E068AE01 ,  4E068CD11 ,  4E068CD13 ,  4E068CE04 ,  4E068DA09 ,  4E068DB01 ,  5E343AA23 ,  5E343BB23 ,  5E343BB40 ,  5E343BB44 ,  5E343DD23 ,  5E343DD43 ,  5E343EE42
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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