シリコン基板のレーザ処理方法およびその装置、ならびにシリコン配線のレーザ切断方法およびその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：杉岡幹二 , 穂上照忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003279149
Publication number (International publication number)：2004074279
Application date： Jul. 24, 2003
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】溶融シリコンの飛び散りを防止し、加工精度に優れるとともに、効率的にシリコン基板の穴あけ加工、切断を行うことができるレーザ処理方法および処理装置の提供。【解決手段】シリコン基板の表面の粗さ(Ra)を0.05μm〜1μmに調整した後、レーザを照射することを特徴とするシリコン基板のレーザ処理方法。シリコン基板の表面の粗さ(Ra)を0.05μm〜1μmに調整する手段と、レーザを照射する手段を有することを特徴とするシリコン基板のレーザ処理装置。この方法および装置は、特に、シリコン配線に設けられた短絡部を切断する場合に有用である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面の粗さ(Ra)を0.05μm〜1μmに調整した後、レーザを照射することを特徴とするシリコン基板のレーザ処理方法。

IPC (3)：

B23K26/00 , H01L21/3205 , H01L21/3213

FI (3)：

B23K26/00 H , H01L21/88 D , H01L21/88 P

F-Term (9)：

4E068AA01 , 4E068AJ01 , 4E068CA17 , 4E068DA10 , 5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH06 , 5F033QQ53 , 5F033XX00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体振動子の振動調整方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-254326 Applicant：住友精密工業株式会社

Cited by examiner (2)

プリント配線板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-143325 Applicant：三井金属鉱業株式会社
レーザ加工装置およびレーザ加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-051483 Applicant：日本電装株式会社

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