半導体ダイオード

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996214193
Publication number (International publication number)：1997097912
Application date： Jul. 25, 1996
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【目的】順方向電圧降下の小さいMOSFET構造を用いた2端子形の高速動作可能な半導体ダイオードを得ること。【構成】本発明による半導体装置は、半導体領域ND + と半導体領域NS との間の半導体領域PB の表面上に形成するしきい値電圧を低減化させたMOSゲート構造を有し、かつ半導体領域PB と半導体領域ND + の短絡構造を持たない半導体領域ND + 及び半導体領域NS + 間の縦型MOSFET構造と、一方の電極となる半導体領域NS + の第1の電極K、及びMOSゲート電極Gと半導体領域ND + とを短絡した一体構造の他方の電極Aの2端子から構成される。

Claim (excerpt)：

一方の主面側に第1の電極E1 が形成された第1の伝導形で高不純物密度の半導体領域S1 と、半導体領域S1 の他方の主面側との間に接合J1 を形成する第1の伝導形の半導体領域S2 と、一方の主面側が半導体領域S2 と接合J2 を形成する第1の伝導形とは逆の第2の伝導形の半導体領域Bと、一方の主面側が半導体領域Bと接合J3 を形成し、かつ他方の主面側に第2の電極E2 が形成された第1の伝導形で高不純物密度の半導体領域Dと、第2の電極E2 が形成された主面側表面の半導体領域D、半導体領域B及び半導体領域S2 に及ぶように形成されたMOSゲート構造およびゲート電極Gとを備え、第2の電極E2 及びゲート電極Gを短絡し、かつMOSゲートのしきい値電圧を低減化することにより、第1の電極E1 と第2の電極E2 間の端子特性が整流特性となることを特徴とする半導体ダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/861 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/91 L , H01L 29/78 654 Z , H01L 29/78 657 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

半導体ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-336631 Applicant：オリジン電気株式会社, 菅原文彦, 春原由雄
半導体ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-335459 Applicant：オリジン電気株式会社, 菅原文彦, 春原由雄
特開平2-091974

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Cited by examiner (10)

半導体ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-336631 Applicant：オリジン電気株式会社, 菅原文彦, 春原由雄
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-335459 Applicant：オリジン電気株式会社, 菅原文彦, 春原由雄
特開平2-091974

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