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J-GLOBAL ID：200903018089910082

III族窒化物半導体を成長する方法、およびIII族窒化物半導体装置を作製する方法

Inventor：
橋本 信

About 橋本 信

, 
木山 誠

About 木山 誠

, 
田辺 達也

About 田辺 達也


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006140788
Publication number (International publication number)：2007311661
Application date： May. 19, 2006
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：
【課題】III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。【解決手段】成長工程S1では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスG1を気相成長装置11の成長炉15に供給して、GaN等のIII族窒化物半導体を成長する。工程S2では、時刻t1においてIII族有機金属物質を気相成長装置11へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。工程S3では、時刻t2において気相成長装置11の反応炉15の温度が、時刻t1における温度Temp1よりも低い温度Temp2になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻t1以降の期間中に気相成長装置11の温度を変更する。III族窒化物半導体の成長期間Taおよび気相成長装置の温度の変更期間Tbの少なくともいずれかの期間中に、アンモニアの供給量が増加される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体を成長する方法であって、 アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスを気相成長装置に供給して、III族窒化物半導体を成長する工程と、 前記III族有機金属物質を前記気相成長装置へ供給することを第1の時刻において停止して、前記III族窒化物半導体の成長を終了する工程と、 前記第1の時刻後の第2の時刻において前記気相成長装置の温度が前記第1の時刻における前記気相成長装置の温度Temp1よりも低い温度Temp2になるように、前記アンモニアを含むガスを供給しながら前記第1の時刻以降の期間中に前記気相成長装置の温度を変更する工程と を備え、 前記III族窒化物半導体の成長期間および前記気相成長装置の温度の変更期間の少なくともいずれかの期間中に、前記アンモニアの供給量が増加される、ことを特徴とする方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/34
FI (4)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  C23C16/34
F-Term (39)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EH10 ,  4G077GA02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TH05 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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