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J-GLOBAL ID：200903046907954051

窒化物化合物半導体素子

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 柿沼 伸司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003433438
Publication number (International publication number)：2004134812
Application date： Dec. 26, 2003
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：
【課題】 発光強度に優れる窒化物化合物半導体素子を得る。【解決手段】 単結晶基板上に、ガリウムとインジウムを含むIII族窒化物半導体からなる活性層と、ガリウムを含む第1の伝導形の窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、ガリウムを含む第2の伝導形の窒化物半導体層からなる第2のクラッド層を含む窒化物半導体発光素子において、上記発光層とクラッド層との間には、発光層に接して、インジウムが添加された窒化物化合物半導体からなる接合層が設けられた構造とする。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
単結晶基板上に、ガリウムとインジウムを含むIII族窒化物半導体からなる活性層と、ガリウムを含む第1の伝導形の窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、ガリウムを含む第2の伝導形の窒化物半導体層からなる第2のクラッド層を含む窒化物半導体発光素子であって、上記発光層とクラッド層との間には、発光層に接して、インジウムが添加された窒化物化合物半導体からなる接合層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01L21/205
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
F-Term (26)：
5F041AA03 ,  5F041CA08 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F045EE03 ,  5F045EE14 ,  5F045EK08 ,  5F045EM09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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