LED及びレーザダイオードの成長のため大面積で低欠陥密度の膜を分離する方法及び半導体デバイスの製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001008539
Publication number (International publication number)：2001257193
Application date： Jan. 17, 2001
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】ベース基板に低欠陥密度膜を形成した後低欠陥密度膜をベース基板から分離させること。【解決手段】膜成長の間に形成される境界欠陥の位置を制御するためのリリース層をベース基板に生成且つパターニングし(ステップ1020)、リリース層上に低欠陥密度膜を成長させる(ステップ1060)。その後、リリース層をエッチングすることで低欠陥密度膜をベース基板から分離して(ステップ1100)、低欠陥密度膜上にデバイスを成長させる(ステップ1080)。こうすることで、ベース基板に好適に低欠陥密度膜を形成した後、低欠陥密度膜をベース基板から分離させ低欠陥密度膜上にデバイスを形成することができる。

Claim (excerpt)：

ベース基板から膜を分離する膜分離方法であって、前記ベース基板の上にリリース層材料を堆積してリリース層を形成するステップと、前記リリース層の上に膜を成長するステップと、前記リリース層をエッチャントでエッチングして、前記膜を前記ベース基板から分離するステップと、を含む膜分離方法。

IPC (4)：

H01L 21/306 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/02

FI (4)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/02 , H01L 21/306 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化物系半導体層の形成方法、窒化物系半導体、窒化物系半導体素子の製造方法および窒化物系半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-269197 Applicant：三洋電機株式会社
III族窒化物半導体の製造方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-329137 Applicant：ソニー株式会社
GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062815 Applicant：三菱電線工業株式会社

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Cited by examiner (3)

GaN単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-062815 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体基板の製造方法および半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-074863 Applicant：株式会社リコー
半導体基板および半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-056109 Applicant：株式会社リコー

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