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J-GLOBAL ID：200903018259116823

半導体発光素子の製法

Inventor：
園部 雅之

About 園部 雅之


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999124409
Publication number (International publication number)：2000315819
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 p側パッド電極を形成する際にレジスト膜などにより透明電極が汚れないようにすると共に、パッド電極を簡単な方法で厚く形成し、ワイヤボンディングなどの信頼性を向上させることができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 (a)ウェハ状の基板上にn形層3およびp形層5を含み発光層を形成する半導体層を積層し、(b)前記積層される半導体層の表面側のp形層5上に透明電極6を形成すると共に、積層される半導体層の一部を除去して露出するn形層3上にn側電極用金属膜9aを設け、(c)透明電極6およびn側電極用金属膜9aが設けられたウェハの表面にパシベーション膜7を設け、(d)パシベーション膜7の前記n側電極用金属膜の部分および透明電極6上のパッド電極の形成場所を開口し、(e)開口されて露出するn側電極用金属膜9aの部分および透明電極6上にそれぞれパッド電極8、9を形成する。
Claim (excerpt)：
(a)ウェハ状の基板上に第1導電形半導体層および第2導電形半導体層を含み発光層を形成する半導体層を積層し、(b)前記積層される半導体層の表面側の第2導電形半導体層上に透明電極を形成すると共に、前記積層される半導体層の一部を除去して露出する第1導電形半導体層上に第1の電極用金属膜を設け、(c)前記透明電極および第1の電極用金属膜が設けられたウェハの表面にパシベーション膜を設け、(d)該パシベーション膜の前記第1の電極用金属膜の部分および前記透明電極上のパッド電極の形成場所を開口し、(e)前記開口されて露出する第1の電極用金属膜の部分および透明電極上にそれぞれパッド電極を形成することを特徴とする半導体発光素子の製法。
F-Term (14)：
5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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