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J-GLOBAL ID：200903018721127275
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997011221
Publication number (International publication number)：1998209494
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 電極や電流拡散層による光の遮断または減衰による外部発光効率の低下を問題とすることなく、しかも電流を充分に拡散させて内部発光効率も向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光層(活性層4)で発光する光を透過させる基板1と、該基板上に積層される前記発光層を含む半導体層2〜5と、該積層される半導体層の表面の第1導電形の半導体層(p形層5)に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記積層される半導体層の一部が除去されて露出する第2導電形の半導体層(n形層3)に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなり、少なくとも前記第1の電極が該電極が設けられる半導体層の実質的に全面に設けられる発光素子チップを有している。
Claim (excerpt)：
発光層で発光する光を透過させる基板と、該基板上に積層される前記発光層を含む半導体層と、該積層される半導体層の表面の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記積層される半導体層の一部が除去されて露出する第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなり、少なくとも前記第1の電極が該電極が設けられる半導体層の実質的に全面に設けられる発光素子チップを有してなる半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
