半導体装置の製造方法および製造装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001361912
Publication number (International publication number)：2003160877
Application date： Nov. 28, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】従来の無電解メッキ方法では、配線基板中の素子特性やCu配線間の絶縁膜の信頼性を劣化させていた。また無電解メッキでは選択性の破れが生じて絶縁膜上に異物発生を引き起こし配線間の短絡や歩留まり低下の原因となっていた。【解決手段】配線基板を回転させながら相対運動する回転定盤に押しつけながら無電解メッキする事により、配線層以外の部分のメッキ膜成長を抑制するような、高信頼度のメッキバリア膜を形成する。回転定盤、メッキ液、および配線基板を保持するキャリアに保温機構を設け、これらを所定の温度に保温してメッキを行う。また、樹脂パッドに観察孔を設けて光を照射し、その反射光の検出を行う。【効果】摺動しながら無電解メッキを行うことにより、配線層以外の部分のメッキ膜成長を抑制する。また、従来よりも薄い膜でメッキバリア膜は連続膜となり、薄くともCu拡散防止能力に優れている。さらに、観察孔を介して無電解メッキ開始時点を検出することにより、メッキバリア膜の厚さの制御性を向上できる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された配線上に金属膜をメッキする半導体装置の製造方法において、前記基板をパッドに対向して配置し、メッキ液を前記基板と前記パッドの間に供給するとともに、前記基板を前記パッドに対して摺動させることにより、少なくとも前記基板上に形成された配線上の一部に前記金属メッキ膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

C23C 18/50 , C23C 18/18 , C23C 18/31 , C23F 1/02 , C23F 1/08 103 , H01L 21/288 , H01L 21/768

FI (7)：

C23C 18/50 , C23C 18/18 , C23C 18/31 E , C23F 1/02 , C23F 1/08 103 , H01L 21/288 Z , H01L 21/90 A

F-Term (78)：

4K022AA02 , 4K022AA42 , 4K022BA06 , 4K022BA14 , 4K022BA24 , 4K022BA32 , 4K022BA35 , 4K022CA03 , 4K022CA04 , 4K022CA11 , 4K022CA13 , 4K022DA01 , 4K022DB14 , 4K022DB18 , 4K022DB26 , 4K022DB29 , 4K057WA01 , 4K057WB04 , 4K057WE01 , 4K057WE21 , 4K057WG02 , 4K057WK06 , 4K057WN01 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ14 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX28 , 5F033XX31 , 5F033XX35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-171915 Applicant：株式会社東芝
無電解めっき方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190687 Applicant：株式会社村田製作所
特開昭63-134671

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