半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000040738
Publication number (International publication number)：2001230220
Application date： Feb. 18, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】銅(銅合金)配線表面に対するパラジウムによる触媒化を選択的かつ均一に行って、次亜リン酸塩を還元剤として用いる無電解めっきのめっき性の改善、配線の信頼性の向上を図る。【解決手段】無電解めっき法によって銅もしくは銅合金を用いた金属配線21上にこの金属配線21の拡散防止として機能するバリア膜31を形成する際に、液温が30°C以上沸点未満の置換めっき液を用いる置換めっき法によって金属配線21上に無電解めっきの触媒として作用する触媒金属膜26を選択的に形成する工程と、無電解めっき法によって触媒金属膜26上にバリア膜31を選択的に形成する工程とを備えた製造方法である。

Claim (excerpt)：

無電解めっき法によって銅もしくは銅合金を用いた金属配線上に前記金属配線の拡散防止として機能するバリア膜を形成する際に、液温が30°C以上沸点未満の置換めっき液を用いる置換めっき法によって前記金属配線上に無電解めっきの触媒として作用する触媒金属膜を選択的に形成する工程と、無電解めっき法によって前記触媒金属膜上に前記バリア膜を選択的に形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/288 , C23C 18/16 , H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/288 M , C23C 18/16 B , H01L 21/88 M

F-Term (50)：

4K022AA02 , 4K022AA41 , 4K022BA06 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022CA06 , 4K022CA19 , 4K022CA20 , 4K022CA21 , 4K022DA01 , 4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD47 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104DD89 , 4M104EE12 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104HH01 , 4M104HH05 , 4M104HH16 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH22 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP35 , 5F033QQ09 , 5F033QQ48 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033TT02 , 5F033XX05 , 5F033XX10 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

基板メッキ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-205138 Applicant：株式会社荏原製作所
特開平4-157168
セラミックス配線基板の導体回路への無電解めっき方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-247782 Applicant：奥野製薬工業株式会社

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