p型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福田賢三 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000207701
Publication number (International publication number)：2002026389
Application date： Jul. 10, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】発光層の結晶の劣化を招くことなく、またコンタミネーションを生じることなく、p型の導電性を発揮させることができ、さらに低コストで作製でき、電極との良好なオーミック接触をも実現することができるようにする。【解決手段】この発明のp型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法では、p型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層3を作製する第1の工程と、その窒化ガリウム系化合物半導体層3上に金属等からなる触媒層7を作製する第2の工程と、その触媒層7を付けた状態での窒化ガリウム系化合物半導体層3を熱処理する第3の工程とを含む、ことを特徴とする

Claim (excerpt)：

p型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法において、p型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層を作製する第1の工程と、上記窒化ガリウム系化合物半導体層上に金属等からなる触媒層を作製する第2の工程と、上記触媒層を付けた状態での窒化ガリウム系化合物半導体層を熱処理する第3の工程とを含む、ことを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (4)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 21/324 C

F-Term (42)：

4K030AA11 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA01 , 4K030DA03 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA11 , 5F041AA24 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA73 , 5F041CA99 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB15 , 5F045EK02 , 5F045EK11 , 5F045EN04 , 5F045GH09 , 5F045HA14 , 5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

p型III-V族窒化物半導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-163120 Applicant：松下電子工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-330944 Applicant：豊田合成株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-244257 Applicant：松下電子工業株式会社

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