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J-GLOBAL ID：200903054432265186

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor： 伊藤 潤 ,  柴田 直樹 ,  上村 俊也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997330944
Publication number (International publication number)：1999145518
Application date： Nov. 13, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】熱処理温度を低減させること。【解決手段】サファイア基板1上にはAlNから成るバッファ層2,Siドープのn型GaN層3,GaNから成るバリア層41とGa0.8In0.2Nから成る井戸層42とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層4及びp型GaN層5が順次積層形成されている。その後、Co金属薄膜を層5の上に形成して熱処理して層5を低抵抗化し、その金属薄膜を除去した。そして、p型層5上にはCoから成る第1金属層61と,Auから成る第2金属層62との透光性のp電極6と電極パッド7とを順次形成し,n型層3上には,VとAl又はAl合金から成るn電極8を形成した。p型層5上に形成された第1 金属層61は酸化しやすいCoから成り, 酸化したCoは熱処理時にp型層5から水素を引き抜いて還元反応を生じ, 熱処理をO2雰囲気中で行うことで, 還元されたCoが再び酸化されてp 型層5 から水素を引き抜く。このようにして,p型層5のp型化が促進され, 熱処理温度を低減できる。

Claim (excerpt)：

p型の窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法において、アクセプタ不純物の添加された窒化ガリウム系化合物半導体の表面に金属から成る薄膜を形成した後、熱処理をすることで低抵抗p型半導体を得ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/43 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/46 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-160886   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-279967   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-187341   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光素子、半導体発光素子の電極および半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-299072   Applicant：株式会社東芝
• 半導体光電素子に対するITO膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-355541   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• 3族窒化物半導体の電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-307156   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所